인텔, 90nm 기술로 만든 노어 플래시 메모리 내놓아
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인텔코리아는 90나노미터(nm) 기술로 만든 멀티 레벨 셀(MLC) 노어(NOR) 플래시 메모리를 선보인다.
인텔이 새롭게 선보인 스트라타플래시 셀룰러 메모리(Intel StrataFlash Cellular Memory) M18은 카메라, 컬러 스크린, 웹 브라우징과 비디오 기능 등 재주가 많은 핸드폰에 적합하도록 130nm 공정에서 만든 것보다 속도가 빠르고, 크기가 작고,전기를 적게 쓰는 것이 특징이다.
인텔코리아 이희성 사장은 "플래시 메모리는 차세대 휴대 전화 응용프로그램을 실행하기 위한 중요한 장치 중 하나"라며, "M18은 핸드폰에 필요한 성능, 밀도와 저전력을 모두 만족한다. 또한, M18은 신뢰성 높은 인텔 5세대 MLC 기술과 90nm 프로세스 리소그래피(lithography)를 바탕으로 한다."라고 말했다.
M18은 플래시 메모리 중에서 가장 빠른 읽기 속도를 자랑하는 칩으로 차세대 셀룰러 칩셋과 같은 버스 주파수(최대 133MHz)로 작동한다. 이 때문에 칩셋과 메모리 사이에 데이터 전송이 130nm 메모리 칩보다 좋아져 프로그램 실행 속도가 빨라졌다. 최대 0.5MB/초의 쓰기 속도를 가진 M18은 3MP(메가 픽셀) 카메라와 MPEG4 비디오를 지원한다. 반도체 공장의 프로그래밍 속도가 이전 130nm 버전보다 최대 세 배 이상 빨라져 OEM 업체들이 생산 비용을 줄일 수 있게 되었다. M18은 이전 세대 제품에 비해 프로그램 작성에는 3분의 1, 삭제에는 반 정도 에너지만을 소비하며, 새로운 딥 파워 다운(Deep Power Down) 운영 모드가 있어 핸드폰 배터리 사용 시간을 늘려준다. 256Mb, 512Mb 단일 칩 솔루션과 최대 1Gb 표준 스택(stacked) 패키지 솔루션과 함께 M18은 노어 플래시 밀도 범위를 증가시킨다. 인텔 표준 스택은 다중 버스 구조 안에 노어(NOR)와 램(RAM)을 합하고, OEM 업체가 제품을 발 빠르게 내놓을 수 있어 공급을 유연하게 할 수 있도록 돕는다.
인텔은 고객들이 통합 시간을 줄이고, 성능이 좋은 표준 디자인 폼을 만드는 데 도움을 주기 위해 셀룰러 에코시스템과 힘을 모으고 있다. 인텔은 심비안(Symbian), 몬타비스타(MontaVista)와 같은 OS와 ADI, 필립스, 인피니온(Infineon), 미디아텍(MediaTek)과 같은 회사들의 셀룰러 칩셋이 90nm 기반 M18를 쓸 수 있도록 함께 노력하고 있다.
소니 에릭슨의 피터 칼슨(Peter Carlsson) 부사장은 "인텔 스트라타플래시 셀룰러 메모리(M18)의 성능, 고밀도, 우수한 가치는 소니 에릭슨의 다기능 전화기에 매우 적합하다."라고 말해 인텔에 힘을 실어 주고 있다. 한편, 인텔은 개발자들이 새로운 단말기의 통합과 속도를 높이는 데 도움을 주기 위해 로열티가 없는 소프트웨어인 차세대 인텔 플래시 데이터 통합기(Flash Data Integrator - FDI)를 함께 주고 있다. 인텔 FDI v.7.1은 플래시 파일 시스템의 간편한 통합을 위한 개방형 구조와 함께 실시간 운영 체제와 USB를 꽂을 수 있고, 램(RAM) 버퍼를 쓸 수 있는 등 최신 기능이 들어 있다.
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